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薄膜电容及其制造方法

2021-09-10 来源:好走旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201711035623.2 (22)申请日 2017.10.30

(71)申请人 中华精测科技股份有限公司

地址 中国台湾桃园市平镇区工业三路15号

(10)申请公布号 CN108933041A

(43)申请公布日 2018.12.04

(72)发明人 苏伟志

(74)专利代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)

代理人 翟羽

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

薄膜电容及其制造方法

(57)摘要

本揭示提供一种薄膜电容及其制造方法。

薄膜电容包含:一介电层,以及一对石墨烯层,分别设置在所述介电层的相对两侧,以作为所述薄膜电容的电极。所述电极可进一步包括一对金属层位在所述石墨烯层之外。本揭示可解决习用薄膜电容因在制造过程中金属离子因高温扩散进入介电层,导致电容效果不佳的问题。

法律状态

法律状态公告日

2018-12-04 2018-12-04 2018-12-28

公开 公开

法律状态信息

公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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