专利名称：低辐射膜及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：彭传才,黄广连,胡云慧,魏敏,余圣发,曹志刚,李京增申请号：CN98112627.8申请日：19980914公开号：CN1247839A公开日：20000322
摘要：本发明涉及低辐射膜及其镀膜方法。该低辐射膜是由三层组成,从靠基材的一层开始依次是金属氧化物层,金属反射层和ITO层。除第三层TTO镀膜时,以ITO为靶材,采用非反应溅射成膜外,各层的镀膜方法和设备与现有技术相同。本发明由于选用ITO为第三层,大大简化了镀膜工艺。所得到的低辐射膜具有优良的性能。
申请人：长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所
地址：410073 湖南省长沙市上大垅
国籍：CN
代理机构：湖南省专利服务中心
代理人：唐国平
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