专利名称：导电结构及其形成方法专利类型：发明专利发明人：沈更新,齐中邦申请号：CN201210052495.3申请日：20120213公开号：CN103123917A公开日：20130529
摘要：本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。
申请人：南茂科技股份有限公司
地址：中国台湾新竹县新竹科学工业园区宝山乡研发一路一号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：骆希聪
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