专利名称：鳍式场效应晶体管器件和方法专利类型：发明专利发明人：吴少均,潘升良申请号：CN201910523563.1申请日：20190617公开号：CN111128732A公开日：20200508
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构；在第一虚设栅极结构周围和第二虚设栅极结构周围形成第一电介质层；移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在第一电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第一凹槽和第二凹槽中的栅极电介质层上方形成第一功函数层；从第一凹槽中移除第一功函数层；将第二凹槽中的第一功函数层的表面层转换为氧化物；以及在第一凹槽中在栅极电介质层上方并且第二凹槽中在氧化物上方形成第二功函数层。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：CN
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：桑敏
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