专利名称：一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：胡辉勇,宋建军,宣荣喜,吕懿,张鹤鸣,周春宇,舒斌,郝
跃
申请号：CN201210243652.9申请日：20120716公开号：CN102738153A公开日：20121017
摘要：本发明公开了一种SiGe HBT双应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在衬底片上制备埋层，生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，形成发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区，制备NMOS和PMOS器件有源区；制备虚栅极，分别进行NMOS和PMOS器件轻掺杂源漏结构（LDD）注入，制备侧墙，自对准形成NMOS和PMOS器件源漏；刻蚀虚栅，淀积SiON栅介质层和W-TiN复合栅，形成CMOS结构，最终构成SiGe HBT、双应变平面BiCMOS集成器件及电路；该方法充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。
申请人：西安电子科技大学
地址：710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
国籍：CN
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