专利名称：高压半导体功率装置的边缘终接的结构专利类型：实用新型专利发明人：苏毅
申请号：CN202020631223.9申请日：20200423公开号：CN211700290U公开日：20201016
摘要：一种高压半导体功率装置的边缘终接的结构，其特征在于，在硅衬底中形成有核心沟槽及终端沟槽，其中所述终端沟槽比所述核心沟槽的深度深；所述核心沟槽及终端沟槽包括设于沟槽内侧壁和底部表面的氧化物，和位于所述氧化物之间的第一多晶硅。通过沟槽布局设计来改善边缘终止击穿的方法，从而能降低工艺成本；且通过沟槽布局设计，无需增加任何额外的掩模层或任何额外的处理步骤，即可实现高终端击穿电压，从而更好应用于较小尺寸的集成电路芯片范围。
申请人：南京紫竹微电子有限公司
地址：210008 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室
国籍：CN
代理机构：上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人：于晓菁
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