专利名称：制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和
气相分解设备
专利类型：实用新型专利发明人：赵向阳
申请号：CN201720678057.6申请日：20170612公开号：CN206930509U公开日：20180126
摘要：本实用新型提供的一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备。该蚀刻台包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。通过固定设置在载片台上的限位件限制硅片相对于吸头在吸附面的位置，有效避免硅片的位置发生偏移。
申请人：上海新昇半导体科技有限公司
地址：201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：余昌昊
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