专利名称：半导体装置的制造方法及金属的层叠方法专利类型：发明专利发明人：古谷健悟
申请号：CN202010127923.9申请日：20200228公开号：CN112242306A公开日：20210119
摘要：实施方式提供一种能够将使用非电解镀的金层的形成时间缩短的半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电气地连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层。在上述半导体装置的制造方法中，在上述电极上有选择地形成第1金属层；形成将在上述第1金属层上形成覆盖的钯层；形成将在上述钯层上形成覆盖的第2金属层；将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。
申请人：株式会社东芝,东芝电子元件及存储装置株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：徐殿军
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