专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：平延磊
申请号：CN201110239275.7申请日：20110819公开号：CN102956464A公开日：20130306
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，包括半导体衬底、高k介电层、浸润层和牺牲栅电极层；形成虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述虚拟栅极结构的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成栅沟槽；在所述栅沟槽中形成金属栅。其中，形成金属栅的步骤包括：形成TMAAB于所述栅沟槽中，所述TMAAB作为金属铝填充的前体；对所述金属铝前体进行退火处理。根据本发明，可以有效提高应用传统沉积工艺实现金属栅填充的能力，并且由于金属铝只能从所述栅沟槽的底部自下而上生长，基于此特点，应用本发明提出的方法可以在任何结构的栅沟槽中填充金属铝栅。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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