专利名称：半导体发光元件专利类型：发明专利
发明人：佐野雅彦,坂本贵彦,榎村惠滋,家段胜好申请号：CN200810000273.0申请日：20080130公开号：CN101237013A公开日：20080806
摘要：本发明提供一种发光元件，其对设在发光构造外的电极使用透光性电极，以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有：发光构造部；分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极；及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜，第2电极具有：被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第1层；及设在透光性绝缘膜至少一部分上且和第1层导通的第2层，第1层的表面侧、及透光性绝缘膜和半导体构造的边界区域上，分别形成光反射部，透光性绝缘膜的第2层侧表面比第1层的表面更远离半导体构造。
申请人：日亚化学工业株式会社
地址：日本德岛县
国籍：JP
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王允方
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