专利名称：TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法专利类型：发明专利发明人：阙祥灯
申请号：CN201210381208.3申请日：20121009公开号：CN102856230A公开日：20130102
摘要：本发明提供一种TFT基板接触孔蚀刻制程监控方法，包括以下步骤：步骤1、提供具有第一金属层的基板及监测机台；步骤2，提供具有第一金属层的基板的反射率参考值；步骤3、通过光罩制程图案化该第一金属层，以形成栅极；步骤4、在栅极上形成栅极绝缘层；步骤5、在栅极绝缘层上蚀刻接触孔，同时通过监测机台测量该接触孔底面的反射率，当该接触孔底面的反射率等于参考值时，停止蚀刻。本发明通过监控金属层的反射率变化以确定接触孔内的绝缘层是否蚀刻干净，有效避免由于绝缘层蚀刻不干净而产生接触电阻造成的TFT基板报废，及由于过蚀刻而导致的接触孔钻蚀，接触孔形貌差，进而造成ITO覆盖的时候接触不良。
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
地址：518000 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
国籍：CN
代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所
代理人：林才桂
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