IGBT功率模块的一次性焊接工艺研究
Research on One-Time Soldering Process of IGBT Power Module
作 者：管功湖[1];梁思平[2]
GUAN Gonghu;LIANG Siping(School of Electronics and Information Engineering,Taizhou
University,Linhai
317000,Zhejiang,China;Linhai
Zhiding
Electronic Technology Co.Ltd.,Linhai 317000,Zhejiang,China)
作者机构：[1]台州学院电子与信息工程学院,浙江临海317000;[2]临海市志鼎电子科技有限公司,浙江临海317000
出 版 物：台州学院学报
年 卷 期：2018年 第6期
摘 要：在焊接式IGBT功率模块封装过程中,通常采用键合引线进行互联,采取两次真空焊接工艺,先进行芯片与DBC陶瓷板的焊接,再进行母排端子与DBC陶瓷板的焊接以及DBC陶瓷板和基板的焊接,焊接质量直接影响IGBT功率模块的可靠性。结合现有国内外IGBT功率模块的封装技术,研发IGBT功率模块的焊接前倒装工艺和一次性焊接工艺,可降低芯片热应力,减少模块热阻抗,焊接无空洞,提高可靠性;同时简化焊接工艺复杂度,实现IGBT功率模块的工业化批量生产,进一步降低产品成本。
页 码：45-49页
主 题 词：IGBT功率模块;封装技术;倒装工艺;一次性焊接工艺
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