专利名称：紫外发光器件专利类型：发明专利
发明人：崔孝植,黄晶焕,韩昌锡申请号：CN201480020854.4申请日：20140307公开号：CN105103309A公开日：20151125
摘要：公开了一种紫外发光器件。该发光器件包括：n型接触层，其包括GaN层；p型接触层，其包括AlGaN或AlInGaN层；以及多量子阱结构的有源区，其位于n型接触层与p型接触层之间。另外，多量子阱结构的有源区包括厚度小于2nm的GaN层或InGaN层，以发射峰值波长为340nm至360nm的紫外线。
申请人：首尔伟傲世有限公司
地址：韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-16
国籍：KR
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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