专利名称：紫外发光器件专利类型：发明专利发明人：洪二朗,崔云庆申请号：CN201210540732.0申请日：20121213公开号：CN103165784A公开日：20130619
摘要：提供一种紫外发光器件，其包括：衬底；发光结构，所述发光结构在衬底下方并且包括多个化合物半导体，每个化合物半导体包括至少第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在第一导电半导体层下方的第一电极层；以及在第二导电半导体层下方的第二电极层。第一电极层与有源层的侧表面间隔开，并且沿着有源层的外周部设置。第一电极层和第二电极层中的至少之一是反射层。
申请人：LG伊诺特有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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