一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法

维普资讯 http://www.cqvip.com ８　无机盐工业　第３９卷第ｌ２期　化合物及胶体等杂质。Ｍｅｒｃｋ公司制定的光纤用　［６］张若愚．用硅藻土制取四氯化硅［Ｊ］．云南化工，１９９４（４）：４４—　ＳｉＣ１　标准为：Ｗ（Ｃｕ）＜１×１０一，Ｗ（Ｎｉ）＜２×１０一，　４６．　Ｗ（Ｃｏ）＜１×１０一，Ｗ（Ｆｅ）＜５×１０一，Ｗ（Ｍｎ）＜　［７］　张香兰，徐德平，杨林松．利用煤系富硅质资源生产四氯化硅　的可行性研究［Ｊ］．煤炭加工与综合利用，１９９９（６）：３０—３３．　０．５×１０一　，Ｗ（Ｃｒ）＜１×１０一　，Ｗ（Ｖ）＜２×１０一　，以　［８］　Ｓｕｎ　Ｌｕｙｉ，Ｇｏｎｇ　Ｋｅｃｈｅｎｇ．Ｓｉｌｉｃｏｎ—ｂａｓｅｄ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｆｒｏｍ　ｉｒｃｅ　ｈｕｓｋｓ　ＨＳｉＣ１，为代表的非金属杂质质量分数＜５×１０～。　ａｎｄ　ｔｈｅｉｒ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｉｎｄ．Ｅｎｇ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．，２００１，４０（２５）：　峨眉半导体材料厂采用２级精馏和特殊的充装　５８６１—５８７７．　技术，已成功生产出满足光纤要求的高纯ＳｉＣ１　，产　［９］　叶启亮，于建国，房鼎业．通信光纤原料ＳｉＣ１　提纯方法［Ｊ］．化　品部分指标优于Ｍｅｒｃｋ公司的产品。兀１一ＩＲ检测　工生产与技术，２００４，１１（１）：２３—２５．　［１０］Ｍｉｎｇ—ｓｈｉｎ　Ｔ．Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ　ｌ￣ｅｍｏｖａｌ　ｆｒｏｍ　ｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＵＳ，　表明，在１　５００～４　４００　ｃｍ　范围内无吸收，透过率　５７２３６４４［Ｐ］．１９９８—０３—０３．　和产品纯度几乎达到１００％。　［１　１］Ｓｃｏｇｇｉｎｓ　Ｔ．Ｍｅｔｈｏｄ　ａｎｄ　ａｐｐａｒａｔｕｓ　ｆｏｒ　ｐｕｒｉｆｙｉｎｇ　ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　ｈａｌｉｄｅｓ　３　ＳｉＣ１　的经济概况与展望　ａｎｄ　ｏｘｙｈａｌｉｄｅｓ　ｕｓｉｎｇ　ｚｅｏｌｉｔｅｓ：ＷＯ，２００５—９２７９０Ａ２［Ｐ］．２００５—　１０一ｏ６．　当前只有美国、日本、德国、俄罗斯等少数国家　［１２］　上海翔骏光纤维电子材料有限公司．光纤用高纯四氯化硅的　生产方法：中国，１５５４５８１Ａ［Ｐ］．２００４—１２—１５．　能够以大工业规模生产高纯光纤级ＳｉＣ１　。　［１３］　同本舁．高纯度四墟化ｃ于　素匕奄　裂造方法：ＪＰ，２００５—　２０世纪６０＿７０年代，中国仅有几个小厂生产　３０６６４５［Ｐ］．２００５—１１—０４．　ＳｉＣ１　，主要使用硅铁氯化法，多数存在技术落后、能　［１４］　同本舁．夕口口　／’及　奄　精裂方法：ｊＰ，２００４—　耗和生产成本高等缺陷。到１９９９年，中国ＳｉＣ１　生　１４９３５５［Ｐ］．２００４—０５—２７．　产厂家发展到近２０家，工艺多采用多晶硅副产法，　［１５］　小柳信一郎，井固韦占二．夕口口三／　’／颊　精裂方法：ＪＰ，　总生产能力仅６５０　ｔ／ａ，主要用于生产硅酸乙酯，市　２００５—０６７９７９［Ｐ］．２００５—０３—１７．　［１６］　Ｇｈｅｔｔｉ　Ｇ．Ｐｒｏｃｅｓｓ　ａｎｄ　ｐｌｎａｔ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌｎａｅ　场缺口很大。２００４年包括吉化集团在内的几个大　ｎａｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＷＯ，２００６—５４３２５Ａ２［Ｐ］．２００６—０５—　型ＳｉＣ１　装置投产后，一定程度上缓解了市场供应紧　２６．　张的状况，但与国内行业需求的增长相比相差甚远，　［１７］Ｐｏｐｐ　Ｈ　Ｐ，Ｎｉｃｏｌａｉ　Ｒ，Ｒａｎｌｅｄｅｒ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｏｃｅｓｓ　ａｎｄ　ａｐｐａｒａｔｕｓ　ｏｆｒ　且国内能够生产光纤级高纯ＳｉＣ１　的厂家不多。因　ｐｕｒｉｆｙｉｎｇ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｏｒ　ｇｅｒｍａｎｉｕｍ　ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｃｏｎｔａｉ—　此，扩大中国ＳｉＣ１　生产装置的规模，特别是加大力　ｎｉｎｇ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ：ＷＯ，２００６—１３１２９Ａ１［Ｐ］．２００６—　０２—０９．　度开发光纤级高纯ＳｉＣ１　产品，成为当前行业发展的　［１８］Ｌａｎｇ　Ｊ，Ｎｉｃｏｌａｉ　Ｒ，Ｒａｎｌｅｄｅｒ　Ｈ．Ｒｅａｃｔｏｒ，ｐｌｎａｔ　ａｎｄ　ｉｎｄｕｓｔｒｉｌａ　首要任务。　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｉｓｈ—・ｐｕｒｉｔｙ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｔｅｔ－　参考文献　ｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ　ｏｒ　ｈｉｇｈ—ｐｕｒｉｔｙ　ｇｅｒｍａｎｉｕｍ　ｔｅｔｒａｃｈｌｏｒｉｄｅ：ＷＯ，２００７—　２５７８７Ａ１［Ｐ］．２００７—０３—０８．　［１］小林睾登，松尾靖史，小野和彦，等．四墟化畦素　裂造方法：　［１９］袁永春．副产ＳｉＣ１４生产光纤用高纯ＳｉＣ１４［Ｊ］．１￣Ｊｌｌ有色金属，　ＪＰ，２００２—１７３３１３［Ｐ］．２００２—０６—２１．　１９９９（１）：３１—３７．　［２］　中国石油天燃气股份有限公司．一种利用废触体合成ＳｉＣ１４的　［２０］Ｈｉｍｙｕｋｉ　０．Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ｓｔｏｒｉｎｇ　ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌｎａｅ　ａｎｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｔｅｔｒａｃｈｌｏ—　方法：中国，１４６５５２４Ａ［Ｐ］．２００４—０１—０７．　ｉｒｄｅ：ＵＳ，６０６００２１［Ｐ］．２０００—０５—０９．　［３］坂田勘治，弘田餮次，兄神一郎．四墟化琏素　裂造方法：ｊＰ，　１０—０６７５０９［Ｐ］．１９９８—０３—１０．　［４］　久本勉．四墟化畦素　裂造方法：ｊＰ，７—２０６４２１［Ｐ］．１９９５—　收稿日期：２００７—０７—１２　作者简介：于剑昆（１９７０一），男，高级工程师，主要从事信息采集　０８—０８．　［５］　傈山雅行，松村秀榭．四墟化琏素　裂造方法：ｊＰ，２—　和网站编辑工作，已发表论文３３篇。　０１８３１７『Ｐ］．１９９０—０１—２２．　联系方式：ｙｕｊｉａｎｋｕｎ＠ｙａｈｏｏ．ｃｏｍ．ａｎ　一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法　一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法，先将锑白溶　却至室温，固体产物经过滤、洗涤、干燥即得到二氧化锡纳米　解于酒石酸氢钠饱和溶液中，得到酒石酸锑钠溶液，同时配　粉体。本发明控制锡离子和锑离子的释放速度，实现锑在二　制一定浓度的锡酸钠溶液；根据ＡＴＯ纳米粉末的锑掺杂量，　氧化锡中的均匀掺杂，流程短，操作简单；中间过程中物料损　将酒石酸锑钠溶液和锡酸钠溶液混合并加入酒石酸氢钠作　失少，直收率高，减少产品被污染的机会；本发明不需高温煅　为配合剂，同时加入双氧水作为氧化剂，用硫酸调节混合溶　烧脱水，水热温度比较低。　液的酸度；上述混合溶液在高压釜中反应一定时问，然后冷　ＣＮ，１９９４９６５