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低介电常数硅微粉的制备方法[发明专利]

2024-04-17 来源:好走旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:低介电常数硅微粉的制备方法专利类型:发明专利发明人:陈林

申请号:CN201510442648.9申请日:20150724公开号:CN105084373A公开日:20151125

摘要:本发明揭示了一种低介电常数硅微粉的制备方法,其通过将长石族的矿物磨损后酸浸处理,提取出矿物中的其他可溶于酸的元素如铝、钾、钠等元素后,将留下的硅质残渣经过洗涤、烘干、煅烧处理,并将煅烧后的二氧化硅进行分级以去除小颗粒粉体,接着进行粉碎分级处理以去除大颗粒的粉体后,得新的连续可调的粉体,新粉体特别适用于作为芯片封装的和覆铜箔板的硅微粉填料,这种粉体具有低密度、低硬度、无尖角及低介电常数的特点。

申请人:陈林

地址:215006 江苏省苏州市工业园区通园路欧洲花园5-502室

国籍:CN

代理机构:苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人:黄建月

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