专利名称：金属栅极形成方法专利类型：发明专利发明人：郑春生
申请号：CN201210293124.4申请日：20120816公开号：CN102779746A公开日：20121114
摘要：本发明公开了一种金属栅极形成方法，在形成金属硅化物层之后形成CESL应力层和层间介质层，并平坦化所述层间介质层直至暴露无定形碳栅极顶面的CESL应力层，随后去除所述无定形碳栅极顶面的CESL应力层，如此，将应力记忆技术应用到金属栅极的制造过程中，记忆在栅极结构中的应力仍然会传导到沟道之中，有利于提高载流子迁移率。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陆花
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