NOR FlashNOR和NAND详解
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发布时间：2024-10-03 16:31
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NOR和NAND是非易失性闪存技术的两大主要流派，自1988年Intel推出NOR flash以来，其市场地位得以确立。紧接着，19年东芝公司提出NAND flash，其优势在于成本降低、性能提升及易于通过接口升级，然而，尽管经过了十几年，很多硬件工程师仍然对NOR和NAND闪存的区分存在混淆。
“flash存储器”与“NOR存储器”在实际应用中常被互换使用。业内专家对NAND闪存相对于NOR技术的优势也存在误解，因为闪存主要用于存储少量代码，这时NOR闪存更适用。而NAND则在高数据存储密度方面表现突出。
NOR技术的一大特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，使得应用程序可以直接在flash闪存内运行，无需将代码读入系统RAM。其传输效率高，在小容量（1～4MB）时具有较高的成本效益，但写入和擦除速度的低效严重制约了其性能。
NAND结构的显著优势在于其提供极高的单元密度，能够实现高存储密度，并具备快速的写入和擦除速度。然而，使用NAND技术的难点在于需要特殊系统接口来管理flash。
综上所述，NOR与NAND闪存技术在存储特点、性能和应用领域上各具优势。正确选择合适的闪存技术，对于提升系统性能、优化存储效率具有重要意义。
