肖特基势垒基本概念
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发布时间：2024-10-23 22:50
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时间：2024-11-08 07:13
肖特基势垒是指在金属与半导体接触形成的整流特性区域。如同二极管具有整流特性，金属-半导体边界形成具有整流作用的区域。金属与n型半导体形成的肖特基势垒在热平衡时具有相同费米能级，其区别在于较低的接面电压与金属端几乎不存在的空乏区宽度。
在加正向偏置时，半导体一侧的势垒下降，使得金属-半导体接触具有整流作用。相反，加反向偏置时，半导体一侧势垒增高。对于P型半导体，金属的功函数大于半导体的功函数；对于N型半导体，金属的功函数小于半导体的功函数。当半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时，会出现欧姆接触，因杂质浓度高而发生隧道效应，导致势垒不具整流作用。并非所有金属-半导体接面都具有整流特性，不具有整流特性的称为欧姆接触。整流属性取决于金属的功函、固有半导体的能隙、半导体的掺杂类型及浓度。
在设计半导体器件时，需要对肖特基效应有深入了解，以确保在需要欧姆接触的地方不会意外地产生肖特基势垒。当半导体均匀掺杂时，肖特基势垒的空间电荷层宽度与单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致。
金属与n型半导体形成的肖特基势垒，是实现整流特性的重要结构之一，在半导体器件设计中扮演着关键角色。
